【科研】集成电路溅射靶材用高纯镍铜钴金属的开发及产业化
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来源：金川集团股份有限公司
半导体工业发展是衡量一个国家科技水平和创新能力的制高点，目前所用高纯金属材料工艺技术被发达国家垄断，中国一直未形成系列高纯金属规模化生产，严重制约产业发展。
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2017
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通过项目实施，该成果形成以下技术创新：
向高纯镍、钴电积溶液添加合适掩蔽剂和络合剂，实现深度除镍、铁目的；
将熔炼坩埚及铸模材质定位于高熔点、高纯度、高致密性，在感应线圈与坩埚间采用定型石墨软粘，作一体封闭处理，消除了高纯铜锭的外界污染，提高了生产效率；
开发了定向凝固与真空感应熔炼相结合的新工艺，实现一定温度梯度，控制下拉速度，消除了杂质缺陷，保证了高纯铜锭稳定成型；
开发了真空感应磁悬浮精炼与电子束熔炼相结合的新工艺，避免了外界杂质污染，保证了镍钴锭的高纯度及良好物理品质。
该成果获授权专利6项，发布国家标准3项，整体技术达到国际先进水平。已成功应用于金川集团股份有限公司，在国内率先实现高纯镍、钴、铜规模化生产，产品完全满足半导体溅射靶材使用要求，产生经济效益3844.73万元。打破了国外技术垄断，推动了国内半导体制造用高纯金属材料及其关键制备技术的本土化进程，带动了半导体产业的发展。
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